细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅工艺
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备过程。碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化 碳化硅晶圆：特性与制造，
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木 2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩 知乎 有问题，就会有答案
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎2022年4月24日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。 关键词：碳化硅陶瓷；烧结技术；烧结助剂；碳化硅应用 0 引 言国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
碳化硅SiC涂层石墨基座在半导体制造中的关键作用
2023年11月8日 该方法工艺简单且成本较低，但制备出的涂层与基体结合较弱，涂层均匀性较差，且涂层较薄，抗氧化性较低，因此需要其他辅助方法。 离子束喷涂法 该方法操作简单，可以制备出较为致密的碳化硅涂 2020年3月16日 Cree公司采用双注入MOSFET(double implantation MOSFET,DMOSFET) 的技术路线,结构如图4(a)所示,该公司自2010 年起发布商业化SiC MOSFET。 器件通过改进元胞尺寸以及改善SiC/SiO2( 二氧化硅)界面特性的手段,元胞尺寸从发布的代产品的10 m 降低至第三代产品的6 m,比导通电阻也从 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结
2021年8月18日 这在一定程度上限制了该工艺在复杂结构碳化硅陶瓷制备中的应用。 作者所在公司经过多年研究，成功采用冷等静压成型结合无压烧结工艺制备了反射镜、磁钢骨架等复杂结构碳化硅陶瓷制品，通过控制制备工艺参数，将毛坯的尺寸精度控制在02%以内，实 2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
2020年10月15日 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及 更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅陶瓷百度百科
碳化硅 (SiC) [1]是共价键很强的化合物，其SiC键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。 碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料 2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。碳化硅器件制造工艺流程
知乎专栏
Explore the basic manufacturing methods of silicon carbide SBD and MOSFETs, focusing on their structural simplicity and process complexity碳化硅生产工艺工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦(无烟煤）为主要原料,在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：SiO2+3C SiC+2CO—46。 8kJ(1120kcal）1原料性能及要求各种原料的性能：石英砂，SiO2〉99％，无烟煤的挥发分〈5％2合成电炉大型碳化硅冶炼炉的炉子功率一般碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA
碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 采用京瓷独有的工艺 可实现超高精度。机加工精度受形状和材料影响。下表所示是一些实例 3 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
《碳化硅技术基础》书评：SiC工艺的增长、表征、器件和应用
2023年6月28日 书中详细介绍了碳化硅材料在功率器件、微波器件和光电子器件中的应用。重点讲解了碳化硅功率器件的结构和特点，如MOSFET、JFET、Schottky二极管和晶体管。书中还讨论了碳化硅器件制造中的关键技术和挑战，包括工艺和加工技术、掺杂和封装技术等。碳化硅晶片清洗工艺碳化硅晶片清洗工艺一、引言碳化硅（SiC ）晶片作为一种重要的半导体材料，在电子器件制造中具有广泛的应用。然而，在晶片制备的过程中，晶片表面会附着各种杂质和污染物，严重影响器件的性能和可靠性。因此，进行碳化硅 碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
SiC外延工艺基本介绍电子工程专辑
2023年5月9日 来源：碳化硅研习社 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4HSiC 型衬底。2014年3月26日 碳化硅 生产过程中产生的问题： ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的 碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见
高性能碳化硅的成型与烧结工艺分析(7945) 豆丁网
2019年4月9日 高性能碳化硅的成型与烧结工艺分析 (7945)pdf 致谢本论文的工作是在我的导师张志力副教授的悉心指导下完成的，张教授严谨的治学态度和科学的工作方法给了我极大的帮助和影响。 在此衷心感谢两年来张老师对我的关心和指导。 感谢国北京交通大学科技 2023年5月2日 通常碳化硅衬底厂的抛光工艺分为粗抛和精抛 1)粗抛：常用的粗抛工艺采用高锰酸钾氧化铝粗抛液搭配无纺布粗抛垫，通常采用的是杜邦的SUBA800。 高锰酸钾起到氧化腐蚀作用，纳米氧化铝颗粒起到机械磨削的作用，加工后的碳化硅衬底片表面粗糙度能达 碳化硅晶片的磨抛工艺、切割、研磨、抛光
重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展
2017年4月9日 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展 黄 进 吴昊天 万龙刚 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 河南洛阳 摘 要:从原料纯度及颗粒形状、成型方法、烧结温度及烧结气氛等方面阐述了重结晶碳化硅材料的制备工艺 及其特点，并与其他组成或性能 2020年12月30日 碳化硅器件是一种极具潜力应用于高温环境下的半导体器件这是因为3CSiC在高温下具有良好的物理化学性质,如22eV的宽能隙、适中的电子迁移率等然而SiC器件与Si器件一样,其刻蚀工艺是SiC器件在微细加工中形成图形所必不可少的一项重要工艺技术环节采用以往 碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术材料
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 电子工程专辑 EE
2022年10月9日 摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化 硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。2022年9月13日 在芯片设计上意法继续深挖平面设计碳化硅MOSFET的技术潜力，推出了第4代平面栅碳化硅，并在今年第二季度量产。 而之前规划的沟槽栅设计产品则顺延成为意法的第5代碳化硅MOSFET，目前应该在工程样品测试阶段，量产时间待定。平面型 OR 沟槽型？碳化硅（SiC）MOSFET的未来发展方向
碳化硅技术标准碳化硅工艺 功率器件 电子发烧友网
2023年2月3日 碳化硅技术标准碳化硅工艺碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种 2020年2月18日 然后向浆料中加入碳化硅颗粒和消泡剂，制备成固相含量为65Vol％—75Vol％的均匀碳化硅浆料。本技术工艺 简单、设备简单，所需生产成本较低和生产周期短。制备出的碳化硅浆料具有固相含量高和流动性好的特点。 3、纳米银颗粒与镀银碳 碳化硅浆料配方工艺技术
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩 知乎 有问题，就会有答案
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎2022年4月24日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。 关键词：碳化硅陶瓷；烧结技术；烧结助剂；碳化硅应用 0 引 言国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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