细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
氮化硅的生产工艺及设备
氮化硅生产中的常用设备
2024年3月2日 氮化硅生产中的常用设备 氮化硅是一种重要的高性能材料，它常被用于制作抗磨损、抗腐蚀要求较高的元器件。 在高温加热类的部件，如高温管道制作中常被用到 2022年10月28日 本发明提出一种氮化硅生产工艺及设备,包括以下步骤:原料准备,造粒排气,开炉排气,闭炉充气,炉体加温,研磨氮化硅粒在实际实施过程中,该工艺通过造粒排气,开 一种氮化硅生产工艺及设备 百度学术
一种氮化硅生产工艺及设备 道客巴巴
2023年6月7日 本发明提出一种氮化硅生产工艺及设备，包括以下步骤：原料准备、造粒排气、开炉排气、闭炉充气、炉体加温、研磨氮化硅粒。 在实际实施过程中，该工艺通过 2023年2月1日 技术实现要素： 5本发明的其一目的在于提供一种氮化硅生产工艺，排除进入氮化炉体内的氧气，减少杂质产生，提高氮化硅的品质，以解决背景技术中的问题。 一种氮化硅生产工艺及设备的制作方法 X技术网
一种氮化硅吸波材料的生产工艺及设备的制作方法 X技术网
2022年11月23日 4氮化硅吸波材料的生产大多工艺相似，大致为球磨、制浆、烧结工序；但是球磨和制浆之间无法做到一体进行，干扰物质的介入风险较大。 技术实现要素： 5本发明的目的在于提供一种氮化硅吸波材料的生产工艺及设备，以解决上述背景技术中提出的问 2008年7月15日 大功率LED 芯片。 同时， 6 英寸硅衬底上氮化 用以确定、评估和管理项目融资过程所涉及社会和环境风险的 IFC 一般工艺改造 危险物质及废弃物 几乎所有的半导体及其他电子产品的生产过程都会产生有害的或有潜在危害的废弃物，如 体生产及磁设备和氮化硅的生产工艺及设备,芯片光效已,矿业破碎筛分设备
一种氮化硅生产工艺及设备pdf 14页 VIP 原创力文档
2023年12月20日 一种氮化硅生产工艺及设备pdf,本发明提出一种氮化硅生产工艺及设备，包括以下步骤：原料准备、造粒排气、开炉排气、闭炉充气、炉体加温、研磨氮化硅粒。在实际实施过程中，该工艺通过造粒排气，开炉排气，以及除氧装置，去除各部分进入炉体内的氧气，使得炉体内氧气降低，提高氮化硅的 2022年10月28日 摘要： 本发明提出一种氮化硅生产工艺及设备,包括以下步骤:原料准备,造粒排气,开炉排气,闭炉充气,炉体加温,研磨氮化硅粒在实际实施过程中,该工艺通过造粒排气,开炉排气,以及除氧装置,去除各部分进入炉体内的氧气,使得炉体内氧气降低,提高氮化硅的纯度和 一种氮化硅生产工艺及设备 百度学术
氮化硅镀膜工艺揭秘：多种技术对比，工艺流程优化 百家号
2024年6月17日 LPCVD工艺包括以下几个主要步骤： 流程 反应气体引入 ：选择合适的反应气体，如硅烷（SiH₄）和氨气（NH₃），并通过流量控制系统将其引入反应室。 反应室加热 ：将反应室加热至预定温度，通常在500900℃之间，以促进反应气体的分解和薄膜的沉积 2024年4月1日 为了保持pH值的稳定，可以加入少量的强酸或其他元素。掺杂的氧化硅比纯氧化硅更容易腐蚀。湿法化学剥离主要是为了去除光刻胶和硬掩模（氮化硅）。热磷酸（H3PO4）是用于湿法化学剥离去除氮化硅的主要化学液，对于氧化硅有较好的选择比。半导体工艺及设备(三)：蚀刻工艺及设备
一种氮化硅生产工艺及设备专利检索与硅专利检索查询专利
2022年10月28日 1一种氮化硅生产工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，原料准备：将高纯硅粉研磨至200目以上；步骤二，造粒排气：将高纯硅粉、粘结剂、以及膨松剂混合搅拌，通过挤压机挤压成型，排除高纯硅粉中的空气形成硅粒；步骤三，开炉排气：将硅粒放置入坩埚内，将坩埚放置于推板窖上，先 氮化硅的制备性质及应用【共18张PPT】 一般燃烧合成Si3N4 的氮气压力低限是3MPa， 但有时高达100MPa以上。 500℃时为 4×10 m 采用高压合成工艺不仅因设备投资高而且增加了生产成本8， 同时也给生产带来了安全隐患。 在13001400℃的条件下用单质硅和氮气直 氮化硅的制备性质及应用【共18张PPT】百度文库
DPC陶瓷基板主要加工工艺流程及生产设备一览 艾邦半导体网
2022年6月17日 DPC工艺主要生产设备包括： 激光打孔机、烘干设备、激光打码机、磁控溅射设备、清洗设备、电镀设备、研磨机、刻蚀机、退火机、砂带机、磨板机、高速飞针测试机、喷砂机、丝网印刷机、磨板机、压膜机、曝光机、显影机、退火炉、激光划线机、测厚仪 2024年1月15日 采用本发明的工艺可以得到α相含量超过95%的氮化权利要求书1页说明书5页附图2页CN一种高α相氮化硅粉体的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：A：将硅粉研磨粉碎至D90为6μm；B：将研磨好的硅粉装入匣钵中，装料厚度在15‑30mm之间；将一种高α相氮化硅粉体的生产工艺 豆丁网
高温抗氧化氮化硅陶瓷的加工方法及主要工艺流程烧结技术
2024年4月6日 高温抗氧化氮化硅陶瓷的加工方法包括超精密抛光、液相烧结等工艺。其主要工艺流程和所需设备涉及粉体制备、成型、烧结等步骤，在加工过程中可能遇到的技术挑战主要是加工难度大和成本相对较高。 杭州海合精密陶瓷 高温抗氧化氮化硅陶瓷由于其高强度、高模量以及耐高温的特性，在工业上 2023年1月16日 四、氮化铝行业现状分析 从国内氮化铝粉体供给情况来看，据粉体网数据，2021年我国氮化铝粉体产量约为1200吨，同比增长20%。 预计20222025年产量增速趋缓，2025年行业产量达到2500吨。 20162025年中国氮化铝粉体产量及增速情况 资料来源：粉体网，华经产业 2022年中国氮化铝行业生产工艺、上下游产业链分析及未来
钒及钒生产工艺 豆丁网
2019年3月17日 钒及钒生产工艺章钒的性质及应用一、钒的性质：钒是一种十分重要的战略物资，在钢铁、电子、化工、宇航、原子能、航海、建筑、体育、医疗、电源、陶瓷等在国民经济和国防中占有十分重要的位置。常温下钒的化学性质较稳定，但在高温下能与碳、硅、氮、氧、硫、氯、溴等大部分非金属 2021年1月7日 氮化硅陶瓷添加剂和制备工艺的研究进展 戴启军, 何代华, 刘平 摘要 ：随着对氮化硅陶瓷研究的不断深入，其热学性能、介电性能有了极大的改善，使之可应用在电子器件等领域。 总结了制备氮化硅陶瓷材料所使用的烧结助剂，包括氧化物烧结助剂、非氧化 氮化硅陶瓷添加剂和制备工艺的研究进展
氮化硅的生产工艺及设备
氮化硅陶瓷常见加工设备及加工方法介绍百度经验 2020年4月18日 方法/步骤 1/3 分步阅读 首先，了解下氮化硅陶瓷的物理性能，更有助于我们了解氮化硅陶瓷的加工方法 氮化硅陶瓷的机械强度高，硬度接近于刚玉这是它的特性2023年6月19日 本发明涉及一种工艺技术及设备，具体是一种氮化硅吸波材料的生产工艺及设备,配制预混溶剂、预备干粉、基材制备、材料成型、以及烧结的工艺生产，借助本发明中的设备，实现在密封容器内部进行干粉的预备、预混溶剂的配制、以及基材的制备，杜绝外界干扰性物质介入。一种氮化硅吸波材料的生产工艺及设备（CN96
光伏电池片及相关设备概览工艺
2020年6月29日 激光打孔工艺是利用一定脉冲宽度的激光去除部分覆盖在电池背面的钝化层和氮化硅覆盖层，以使丝网印刷的铝浆可以与电池背面的硅片形成有效接触，从而使光生电流可以通过铝背场导出。 PERC电池目前成为电池升级的主流方向，主要在于以下优点：1）电 2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
以四氟化硅和氮气生产氮化硅和三氟化氮的设备及工艺专利
2013年10月11日 2根据权利要求1所述的以四氟化硅和氮气生产氮化硅和三氟化氮的设备，其特征在于，还包括氮气净化回收装置，所述氮气净化回收装置的进料口与三氟化氮精制装置的废气排出口相连通，所述氮气净化回收装置的出料口与等离子体反应器的进料口相连通。2023年3月7日 四氟化硅生产工艺 1硫酸法 硫酸法将HSO4、SiO、氟化盐或氟硅酸盐混合通过“一锅法”反应制备四氟化硅。 该方法因反应原料的差异可细分为氟硅酸盐HSO法、氟硅酸HSO法和萤石H,SO法等。 硫酸法成本低且利用率较高，是硅行业发展之初较普遍的四 四氟化硅生产工艺及设计反应电子工业气体
氮化硅LPCVD工艺及快速加热工艺(RTP)系统详解 制造
2022年10月17日 氮化硅LPCVD工艺及快速加热工艺(RTP)系统详解铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示了氮化硅在铜芯片 2022年4月14日 制备工艺流程：共离子交换法还被取得成功地运用于生产制造透明色瓷器荷兰某公司用丁醇铝及乙醇盐、丁醇盐这类硅醇盐快速水解反应的方式 来生成超微粒的锆刚玉胶体溶液颗粒料，胶体溶液构造类似尖晶石，其构成式可综合性为3Al2O3XSiO215H2O，抑制成透明色的生胚片，相对密度为17～24克 高温｜耐腐蚀氮化硅陶瓷工装的特性及工艺流程
氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程概述说明
2 氮化镓芯片生产工艺流程: 这些工艺环节的精细调控和质量控制对于提高氮化镓芯片的性能和可靠性至关重要。一个优秀的氮化镓芯片生产工艺流程能够确保产品具有良好的晶体质量、尺寸一致性和表面平整度，以满足不同领域对芯片性能和可靠性的需求。本论文对集成电路制造工艺中,氮化硅膜和氧化硅薄膜的湿法腐蚀工艺和机理进行了研究研究的重点是如何控制热磷酸 (HAP04)药液在腐蚀氮化硅膜的同时,其对氧化硅膜的腐蚀影响,并如何将这一关系合理地运用到实际生产中,以提高生产效率同时改善产品的品质 IC制程中氮化硅薄膜及相应氧化硅膜腐蚀工艺和机理研究
氮化硅的制备性质及应用标准版PPT百度文库
氮化硅的制备性质及应用标准版PPT热压烧结法 将氮化硅粉与少量添加剂（如 MgO、Al2O3、MgF2、AlF3或 Fe2O3等），在以上的 压力和1600~1700℃条件下压热 成型烧结。 制得的产品比反应烧结制得的产 品密度高，性能好。1010应用 机械工业轴承滚珠 3 天之前 北京特思迪半导体设备有限公司是生产减薄抛光 CMP 专业设备厂家，可以提供的基板减薄抛光系统，由 1 台 减薄设备、1 台抛光设备、1 台贴片设备组成，用于 HTCC 氮化铝基板的减薄抛光贴片工艺加工，其中减薄设备通 过快速减薄及在线厚度测量系统将基板TSV 关键工艺设备特点及国产化展望 艾邦半导体网
氮化硅陶瓷微粉制备方法与应用研究进展要闻资讯中国粉体网
2022年6月6日 氮化硅陶瓷微粉的制备方法主要包括硅粉直接氮化法、碳热还原二氧化硅法、化学气相合成法、热分解法。 硅粉直接氮化法 硅粉直接氮化法，即Si粉与N 2 反应生成Si 3 N 4 粉体，化学反应为： 3Si (s)+2N 2 (g) → Si 3 N 4 (s) 该反应合成Si 3 N 4 的路径相对简 2013年5月2日 0引言 以氮化硅为代表的先进陶瓷具有低密度、高硬度、高刚度、抗磨损、低热膨胀系数、化学稳定性和热稳定性好等极为优良的综合性能,被认为是目前制造高速、高精度轴承滚动体的最佳材料[12]。 国内目前还没有较为成熟稳定的工艺对高精度氮化硅陶瓷 高精度氮化硅陶瓷球批量加工研磨工艺研究
一种氮化硅吸波材料的生产工艺及设备的制作方法 X技术网
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