细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅工艺碳化硅工艺碳化硅工艺
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介 碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化 碳化硅晶圆：特性与制造，
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木 2024年4月18日 碳化硅SiC的生产工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。 每一步都需要精确控 浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 百家号
一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
2024年5月31日 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。2022年8月24日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料； 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法 新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）器件工艺流程外延
碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅生产工艺工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦(无烟煤）为主要原料,在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：SiO2+3C SiC+2CO—46。 8kJ(1120kcal）1原料性能及要求各种原料的性能：石英砂，SiO2〉99％，无烟煤的挥发分〈5％2合成电炉大型碳化硅冶炼炉的炉子功率一般碳化硅晶舟烧结工艺涉及以下主要步骤： 1 原材料准备 选择高纯度的碳化硅粉末作为原料，通常要求粉末的纯度大于99%。 将碳化硅粉末进行粒度分级、筛选，以获得理想的颗粒分布。 2 混合与制备绿坯 将精选的碳化硅粉末与一定比例的粘结剂（如聚乙烯醇 碳化硅晶舟烧结工艺 百度文库
轻型碳化硅质反射镜坯体的制造工艺 百度学术
摘要： 研究了轻型碳化硅质反射镜坯体制造技术,讨论了制备工艺中的关键环节提出了一种先进的消失模技术用于制备性能更加优异的背部半封闭式轻量化结构针对制备大尺寸复杂形状陶瓷的难点,研究了SiC陶瓷素坯凝胶注模成型及成型过程中高固相含量低黏度SiC浆料的配置,浆料固化时间控制及大 碳化硅加工工艺流程碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性是相反的，随 温度升高到一定时值时、出现峰值，继续升高温度时，导电率又会下降。 三、碳化硅的用途：1、磨料主要是因为碳化硅具有很高的硬度 碳化硅加工工艺流程 百度文库
碳化硅器件制造工艺流程
2023年11月16日 碳化硅特色工艺模块主要涵盖注入掺杂、栅结构成型、形貌刻蚀、金属化、减薄工艺。 1、注入掺杂：由于碳化硅中碳硅键能高，杂质原子在碳化硅中难以扩散，制备碳化硅器件时PN结的掺杂只能依靠高温下离子注入的方式实现。碳化硅粉可以作为冶金助剂，用于改善合金的性能。添加碳化硅粉的合金具有高硬度、高强度和耐磨损的特点，常用于制备航空航天和汽车工业的零部件。 碳化硅粉生产工艺 引言 碳化硅粉是一种重要的工业原料，广泛应用于耐火材料、高级陶瓷、冶金等领域。碳化硅粉生产工艺 百度文库
碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术材料
2020年12月30日 碳化硅器件是一种极具潜力应用于高温环境下的半导体器件这是因为3CSiC在高温下具有良好的物理化学性质,如22eV的宽能隙、适中的电子迁移率等然而SiC器件与Si器件一样,其刻蚀工艺是SiC器件在微细加工中形成图形所必不可少的一项重要工艺技术环节采用以往 3 天之前 碳化硅衬底加工过程中，除了改善切割工艺外，一般还会在切割时会留有余量，以便在后续研磨抛光过程中减小TTV、BOW、Warp的数值。 END 为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论。碳化硅晶圆减薄工艺中的重要指标 艾邦半导体网
黑碳化硅生产工艺进行冶炼高温
2024年1月12日 黑碳化硅的工艺 ： 1、高温冶炼：将石英砂、石油焦、硅石等原材料按照比例进行混合后，加入电阻炉进行高温冶炼。冶炼后的成品是碳化硅块。2、破碎：碳化硅硬度较高，介于白刚玉和金刚石之间，而且块比较大，普通的粉碎机很难将其粉碎 2016年9月12日 复杂的工艺过程,因此复合材料的成本就比较高[9]。下面详细介绍各种制备工艺的优缺点以及应用领 域。11暋粉末冶金法 粉末冶金法是最早开发用于制备金属基颗粒复 合材料的工艺,该工艺先将增强体和基体粉末混合 均匀,经压制、烧结及后续处理等工序制成碳化硅颗粒增强 Al基复合材料的新型制备工艺
碳化硅晶体电化学机械抛光工艺研究
2022年3月28日 摘要: 针对碳化硅晶体抛光效率低的问题，研究碳化硅晶体的电化学机械抛光工艺，对比NaOH、NaNO 3、H 3 PO 4 3种电解液电化学氧化碳化硅晶体的效果。 选用06 mol/L的NaNO 3 作为电化学机械抛光过程的电解液，使用金刚石–氧化铝混合磨粒，通过正交试验研究载荷、转速、电压、磨粒粒径对电化学机械 碳化硅涂层加工工艺 四、碳化硅产品加工工艺流程 1、制砂生产线设备组成 制砂生产线由颚式破碎机、对辊破碎机、球磨机、清吹机、磁选机、振动筛和皮带机等设备 组合而成。 根据不同的工艺要求，各种型号的设备进行组合，满足客户的不同工艺要求 碳化硅涂层加工工艺 百度文库
《碳化硅技术基础》书评：SiC工艺的增长、表征、器件和应用
2023年6月28日 书中详细介绍了碳化硅材料在功率器件、微波器件和光电子器件中的应用。重点讲解了碳化硅功率器件的结构和特点，如MOSFET、JFET、Schottky二极管和晶体管。书中还讨论了碳化硅器件制造中的关键技术和挑战，包括工艺和加工技术、掺杂和封装技术等。3 天之前 碳化硅是一种典型的共价键结合的稳定化合物, 加上它的扩散系数低, 很难用常规的烧结方法达到致密化 ,必须通过添加一些烧结助剂以降低表面能或增加表面积 ,以及采用特殊工艺处理来获得致密的碳化硅陶瓷。 按烧结工艺来划分 , 碳化硅陶瓷可以分为重结晶 几种碳化硅陶瓷的致密化工艺 艾邦半导体网
国产碳化硅进击8英寸工艺节点 最佳“掘金”窗口期步入倒计时
2023年6月28日 即便碳化硅产业当前主流仍以6英寸衬底为主，但进军8英寸衬底被视为降低成本的关键之举。上升至碳化硅器件层面，当前成本仍高于硅器件3到5倍。特别是今年3月份碳化硅旗手特斯拉倒戈，喊话未来减少75%碳化硅用量，被视为施压供应商意法半导体降低成本2024年3月11日 碳化硅制备工艺包括哪些？ 碳化硅制备工艺包括哪些？ 衬底制备是最核心环节，难度集中在晶体生长和衬底切割。 1 晶体生长：速度慢可控性差，是衬底制备主要技术难点 SiC衬底是芯片底层材料，主要技术难点在于晶体生长。 衬底是沿晶体 特定结晶方向 碳化硅制备工艺包括哪些？ 问答集锦 未来智库
碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见
2014年3月26日 碳化硅 生产过程中产生的问题： ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的 三、清洗工艺步骤 1 预清洗 将待清洗的碳化硅晶片放入预清洗槽中，使用去离子水进行浸泡清洗。 预清洗的目的是去除表面附着的杂质和油污，以减少后续清洗工艺的负担。 2 酸洗 在酸洗槽中加入稀硝酸或稀盐酸溶液，将碳化硅晶片浸泡一段时间。 酸洗 碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
SiC外延工艺基本介绍 电子工程专辑 EE Times China
2023年5月9日 来源：碳化硅研习社 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4HSiC 型衬底。Explore the basic manufacturing methods of silicon carbide SBD and MOSFETs, focusing on their structural simplicity and process complexity知乎专栏
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 电子工程专辑 EE Times China
2023年8月7日 在碳化硅半导体的制备过程中，晶圆衬底制造作为占据总成本的40%，是至关重要的一项工艺。 在半导体晶圆衬底制造过程中，切割磨抛工序是不可或缺的环节之一,它是将硅晶圆切割成较薄的片状，然后进行研磨和抛光，以获得所需的平整度和表面光洁度。 碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究 碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能,被广泛应用于很多领域,碳化硅陶瓷的制备常用无压烧结法无压烧结具有操作简单,成本低,可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件,而且相对容易实现工业化生产等特点,因此无压烧结是碳化硅陶瓷 碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究 百度学术
碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
碳化硅晶片清洗工艺 碳化硅晶片清洗工艺引言：碳化硅晶片是一种常见的半导体材料，在电子行业中得到广泛应用。为了保证其性能和可靠性，碳化硅晶片在生产过程中需要进行清洗处理。本文将介绍碳化硅晶片清洗工艺的相关内容。一、清洗前准备在 2021年1月30日 碳化硅桨，碳化硅悬臂桨，碳化硅浆，碳化硅悬臂浆 (4) 闭管软着陆扩散系统采用闭管扩散的方式。碳化硅浆，碳化硅桨 38500mmCT扩散桨 捷佳创扩散桨光伏把石英舟放入石英管后再退出石英管，保证整个工艺过程完全不受外界环境干扰。碳化硅桨 38500mmCT扩散桨 捷佳创扩散桨光伏工艺
碳化硅的生产工艺 百度文库
以上是碳化硅的两种常见生产工艺。根据不同的应用需求，可以选择适合的工艺来生产具有特定性能的碳化硅材料。 5冷却和分离：碳化反应结束后，关闭炉体进行冷却。然后将碳化硅材料从炉中取出，通过物理方法（如破碎、筛分）将不同粒度的碳化硅分离。2023年6月16日 4后处理工艺 反应烧结碳化硅制造后需要进行后处理工艺。常用的后处理工艺有机械加工、研磨、抛光、氧化等。这些工艺旨在提高反应烧结碳化硅的精度和表面质量。其中，研磨和抛光工艺是常见的加工方法，可以改善碳化硅表面的光洁度和平整度。反应烧结碳化硅的制造工艺山东华美新材料科技股份有限公司
碳化硅CVI工艺沉积动力学模拟研究 百度学术
碳化硅CVI工艺沉积动力学模拟研究 来自 掌桥科研 喜欢 0 阅读量： 109 作者： 汤哲鹏，王梦千，董凯 展开 摘要： 化学气相渗透(CVI)工艺被广泛应用于制备碳基及碳化硅(SiC)基复合材料,CVI工艺是实现制备高纯度和高晶粒度SiC基体的SiCf/SiC 2022年8月24日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料； 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法 新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）器件工艺流程外延
碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅生产工艺工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦(无烟煤）为主要原料,在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：SiO2+3C SiC+2CO—46。 8kJ(1120kcal）1原料性能及要求各种原料的性能：石英砂，SiO2〉99％，无烟煤的挥发分〈5％2合成电炉大型碳化硅冶炼炉的炉子功率一般碳化硅晶舟烧结工艺涉及以下主要步骤： 1 原材料准备 选择高纯度的碳化硅粉末作为原料，通常要求粉末的纯度大于99%。 将碳化硅粉末进行粒度分级、筛选，以获得理想的颗粒分布。 2 混合与制备绿坯 将精选的碳化硅粉末与一定比例的粘结剂（如聚乙烯醇 碳化硅晶舟烧结工艺 百度文库
轻型碳化硅质反射镜坯体的制造工艺 百度学术
摘要： 研究了轻型碳化硅质反射镜坯体制造技术,讨论了制备工艺中的关键环节提出了一种先进的消失模技术用于制备性能更加优异的背部半封闭式轻量化结构针对制备大尺寸复杂形状陶瓷的难点,研究了SiC陶瓷素坯凝胶注模成型及成型过程中高固相含量低黏度SiC浆料的配置,浆料固化时间控制及大
世邦工业科技集团董事长
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